Рассчитаны и сравнены конструкция, полная мощность, статическая мощность, динамическая мощность, время переходного процесса, переходная задержка и статический ток в ячейках 8T SRAM и 10T SRAM. Ячейка 8T SRAM имеет наименьшее количество транзисторов и наименьшую площадь, но скорость работы несколько снижается. Увеличение количества транзисторов в ячейке 10T SRAM, однако, приводит к увеличению площади и задержки при комнатной температуре. При повышении температуры от определенного значения ячейка 10T SRAM работает лучше, чем ячейка 8T SRAM. Это оправдывает использование 10T SRAM ячейки для маломощных приложений с изменяющимися температурными условиями. Предложенная конструкция памяти SRAM может быть реализована в любой цифровой схеме.