Viagem em direção a Nanowires
AUTHOR | Subramaniam, Subha |
PUBLISHER | Edicoes Nosso Conhecimento (02/26/2021) |
PRODUCT TYPE | Paperback (Paperback) |
Description
A ind stria da microeletr nica avan ou para o regime de nanoescala, que alcan ou baixa pot ncia e alta velocidade de comuta o em circuitos eletr nicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de caracter stica de sub-10nm e se movendo em dire o a 5,6nm. A fim de sustentar a redu o de escala, n o s essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas tamb m pode ser necess rio substituir o sil cio. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimento de porta. As estruturas de trans stores Multi-Gate FETs e Nanowire s o encontradas adequadas abaixo do n de tecnologia de 14nm. No entanto, Nanowires Verticais desenvolvidos com materiais compostos III-V, materiais de xido de porta de altaκ e port es met licos de melhor desempenho s o explorados.
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Product Format
Product Details
ISBN-13:
9786203368604
ISBN-10:
6203368601
Binding:
Paperback or Softback (Trade Paperback (Us))
Content Language:
Portuguese
More Product Details
Page Count:
136
Carton Quantity:
52
Product Dimensions:
6.00 x 0.32 x 9.00 inches
Weight:
0.46 pound(s)
Country of Origin:
US
Subject Information
BISAC Categories
Technology & Engineering | Electronics - General
Descriptions, Reviews, Etc.
publisher marketing
A ind stria da microeletr nica avan ou para o regime de nanoescala, que alcan ou baixa pot ncia e alta velocidade de comuta o em circuitos eletr nicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de caracter stica de sub-10nm e se movendo em dire o a 5,6nm. A fim de sustentar a redu o de escala, n o s essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas tamb m pode ser necess rio substituir o sil cio. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimento de porta. As estruturas de trans stores Multi-Gate FETs e Nanowire s o encontradas adequadas abaixo do n de tecnologia de 14nm. No entanto, Nanowires Verticais desenvolvidos com materiais compostos III-V, materiais de xido de porta de altaκ e port es met licos de melhor desempenho s o explorados.
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