Les polym res lectro-optiques devraient permettre de r aliser terme des modulateurs de meilleures performances au moindre co t que ceux base des cristaux inorganiques comme LiNbO3 et des semi-conducteurs comme GaAs. Ce travail porte sur la conception de la structure optique et hyperfr quence d'un modulateur Mach-Zehnder (MZ) sur polym re. L' tude de la structure optique permet de dimensionner la section droite du guide d'onde monomode avec un fort taux de confinement, afin de minimiser l'absorption de l'onde vanescente et la tension de commande du modulateur. L' tude des jonctions Y est galement d taill e. Afin de r duire le co t de fabrication des modulateurs et de faciliter leur caract risation sur wafer avec des pointes CPW, nous tudions des transitions CPW-MS tr s large bande sans via ni motif dans le plan de masse. Les r sultats de mesures et de simulations sont en tr s bon accord aussi bien sur le substrat commercial NH9338 que sur le polym re SU8 en couche mince de 8 μm. Les simulations pr voient une bande passante de 420 MHz 60 GHz pour une transition GCPW-MS-GCPW sur le polym re NOA61 en couche mince avec une m tallisation d'argent de 6 μm.