Vo vtoroy chasti rassmotreny osnovy funktsionirovaniya submikronnykh geterostrukturnykh polevykh tranzistorov razlichnoy modifikatsii, v tom chisle s kvantovymi tochkami, moshchnykh tranzistorov (geteropolevykh, geterobipolyarnykh, MOP), privedeny metody i rezul'taty ikh modelirovaniya. Opisana model' rezonansno-tunnel'nykh diodov s ispol'zovaniem metoda ogibayushchey volnovoy funktsii. Prednaznacheno dlya studentov, obuchayushchikhsya po napravleniyu Mikro- i nanoelektronika, mozhet byt' polezno studentam drugikh spetsial'nostey i aspirantam vuzov, no avtory nadeyutsya, chto ono smozhet predstavit' interes dlya chitateley, svyazannykh s SVCh elektronikoy.