O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilizacao da tecnologia MOS convencional, devido a excessiva elevacao da corrente de fuga nas juncoes, que aumenta a potencia dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradacao da tensao de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, ha relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa a tecnologia MOS convencional, devido a significativa reducao da corrente de fuga das juncoes e da menor variacao da tensao de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente ate 300 C, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em funcao da temperatura, sendo assim, realizou-se uma serie de simulacoes numericas tridimensionais variando-se as dimensoes geometricas dos dispositivos, Isto e, a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento eletrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condicoes."